英诺赛科设立硅谷及比利时办公室真正开始启动国际业务

来源：ayx爱游戏官方网页    发布时间：2024-11-16 20:58:35

　　IDM龙头英诺赛科宣布真正开始启动国际业务，通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售办公室，为客户提供更好的支持与服务。

　　英诺赛科成立于 2015 年 12 月，专注于 GaN 技术。公司目前拥有两个晶圆厂，包括世界上最大的专用 8 英寸 GaN-on-Si 工厂，配备最新、先进的制造设备。目前，该企业具有每月 10,000 片 8 英寸晶圆的产能，今年晚些时候将增加到每月14,000 片，预计 2025 年将达到每月 70,000 片。该企业具有广泛的产品组合，包括30V 至 650V，已出货超过 3500 万个零件，用于包括 USB PD 充电器/适配器、数据中心、手机和 LED 驱动器在内的应用。

　　英诺赛科于2015年在珠海成立，专注于8英寸硅基GaN的研发、生产与制造，核心技术包含外延、器件及工艺，现拥有珠海和苏州两大晶圆生产基地，同时在国内多个城市以及北美、欧洲均设立了应用和分销机构。

　　根据TrendForce集邦咨询分析，在2020-2021年全球GaN功率厂商出货量占有率前十厂商中，英诺赛科得益于其高压、低压GaN产品出货量明显地增长，排名跃居第三位，市占率从2020年的6%大幅度的提高至2021年的20%。除此之外，其GaN快充产品也首次打入了一线笔电厂商的供应链，并试图在工业、汽车市场开拓新的利润增长点。

　　如今，国际业务已真正开始启动，表明英诺赛科将以更快的速度进军国际市场。未来，其GaN产品在全球市场的占有率有望进一步提升。

　　英诺赛科美国总经理Yi Sun坦言，未来公司将更好地为美国的客户（尤其是旧金山湾区的客户）服务。英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon则表示，GaN发展正当时，公司已做好充分准备服务全球市场。

　　市占率攀升、国际影响力提升，这些成功背后的支撑能够说是超高的性价比的产品和充足的产能。

　　产品部分，目前硅基GaN器件涵盖30V-650V，出货量已超过3500万个，大范围的应用于USB PD充电器与适配器、数据中心、移动手机及LED驱动电源等多个领域。

　　在8英寸硅基GaN核心技术上，英诺赛科优化了外延工艺，以获得均匀、可重复和坚固的8英寸GaN-on-Si外延片。此外，英诺赛科还优化了工艺技术，扩大了工艺窗口等，以此来获得可大规模量产的工艺及更高晶圆的利用率，开发具有高再现性和高良率的晶圆。

　　例如，英诺赛科在外延结构上加入了应力增强层，可在不影响阈值电压及漏电等其他参数的条件下，明显降低RDS(on)参数，从而开发高品质常关/E-mode GaN FET（氮化镓场效晶体管）。目前，其硅基GaN器件已通过了超越JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的质量和可靠性测试。

　　总的来说，凭借经优化的外延和器件工艺，英诺赛科成功实现8英寸硅基GaN晶圆和器件的大规模量产并降低生产所带来的成本，为客户提供具备高性能、高可靠性、高质量的产品。

　　英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon认为，在市场同种类型的产品中，英诺赛科的产品可在价格上取胜；与此同时，在缺芯背景下，公司的产能也足以保障供货能力，实现用户的需求。未来，英诺赛科期待携手更多合作伙伴，一同推动GaN渗透全球电子行业。关键字：引用地址：英诺赛科设立硅谷及比利时办公室，真正开始启动国际业务

　　Systems 推出USB PD3.1、单端口Type-C 140W AC/DC参考设计

　　与硅FET充电器相比，该设计轻40%，体积小50%，具有23W/in3的超高功率密度。该设计增强了 GaN Systems 面向消费电子市场的交钥匙充电器解决方案组合（65W、100W、140W、250W），实现了更快的设计周期，并继续推出更小、更轻、更强大和更高效的充电器。 新的 140W GaN 充电器是一个完整的交钥匙解决方案，包括完整组装和测试充电器的全面文档。它提供具有成本效益的高频两级电源拓扑，具有无桥图腾柱功率因数校正 (PFC) 和双开关准谐振 (QR) 反激式拓扑。充电器参考设计使用 GaN Systems 的 5mm x 6mm PDFN 封装的 GS-065-011-1-L 功率晶体管，以此来实现了具有成本

　　半导体产业是整个电子信息产业链中最关键的产业之一，它为集成芯片产业、LED产业、光伏产业等产业提供关键性基础材料，对整个电子信息产业影响巨大。上世纪中叶，单晶硅与半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，引发了第三次技术革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术快速地发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。 半导体产品大范围的应用在电子工业和微电子工业中，用来制作各种晶体管、集成电路、固态激光器等各种精密原器件。 有业内资深专家这样认为：半导体材料大概能分为三代。第一代半导体是硅；第二代半导体是以砷化镓为代表；第三代半导体以氮化镓为代表，它在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方

　　目前，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体受到的关注度慢慢的升高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件没办法实现的作用。尤其是在未来三大新兴应用领域（汽车、5G和物联网）之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前途。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓（Ga2O3）再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就有公司和研究机构对其在功率半导体领域的应用进行钻研，但就实际应用场景来看，过去不如SiC和GaN的应用面广，所以相关研发工作的风

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